Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > MAP6KE180CAE3
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
6441083

MAP6KE180CAE3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    MAP6KE180CAE3
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 154V 246V T-18
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    MAP6KE180CAE3.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    154V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    246V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    171V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    T-18
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    600W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    T-18, Axial
  • Andere Namen
    1086-4528
    1086-4528-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    2.4A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "MAP6KE180CAE3" -Einziper.
MAP6KE180A

MAP6KE180A

Beschreibung: TVS DIODE 154V 246V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE170A

MAP6KE170A

Beschreibung: TVS DIODE 145V 234V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE20AE3

MAP6KE20AE3

Beschreibung: TVS DIODE 17.1V 27.7V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE170AE3

MAP6KE170AE3

Beschreibung: TVS DIODE 145V 234V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE20A

MAP6KE20A

Beschreibung: TVS DIODE 17.1V 27.7V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE200A

MAP6KE200A

Beschreibung: TVS DIODE 171V 274V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE18A

MAP6KE18A

Beschreibung: TVS DIODE 15.3V 25.2V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE18CAE3

MAP6KE18CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 15.3V 25.2V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE18AE3

MAP6KE18AE3

Beschreibung: TVS DIODE 15.3V 25.2V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE16CA

MAP6KE16CA

Beschreibung: TVS DIODE 13.6V 22.5V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE18CA

MAP6KE18CA

Beschreibung: TVS DIODE 15.3V 25.2V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE170CA

MAP6KE170CA

Beschreibung: TVS DIODE 145V 234V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE200CAE3

MAP6KE200CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 171V 274V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE16CAE3

MAP6KE16CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 13.6V 22.5V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE180CA

MAP6KE180CA

Beschreibung: TVS DIODE 154V 246V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE16AE3

MAP6KE16AE3

Beschreibung: TVS DIODE 13.6V 22.5V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE200CA

MAP6KE200CA

Beschreibung: TVS DIODE 171V 274V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE170CAE3

MAP6KE170CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 145V 234V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE180AE3

MAP6KE180AE3

Beschreibung: TVS DIODE 154V 246V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE200AE3

MAP6KE200AE3

Beschreibung: TVS DIODE 171V 274V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.