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MAP6KE36CAE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MAP6KE36CAE3
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 30.8V 49.9V T-18
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    MAP6KE36CAE3.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    30.8V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    49.9V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    34.2V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    T-18
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    600W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    T-18, Axial
  • Andere Namen
    1086-4564
    1086-4564-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    12A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose

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Das Folgende sind "MAP6KE36CAE3" -Einziper.
MAP6KE33CAE3

MAP6KE33CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE43AE3

MAP6KE43AE3

Beschreibung: TVS DIODE 36.8V 59.3V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE33A

MAP6KE33A

Beschreibung: TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE30AE3

MAP6KE30AE3

Beschreibung: TVS DIODE 25.6V 41.4V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE39CAE3

MAP6KE39CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 33.3V 53.9V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE33AE3

MAP6KE33AE3

Beschreibung: TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE47A

MAP6KE47A

Beschreibung: TVS DIODE 40.2V 64.8V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE43A

MAP6KE43A

Beschreibung: TVS DIODE 36.8V 59.3V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE43CA

MAP6KE43CA

Beschreibung: TVS DIODE 36.8V 59.3V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE30CAE3

MAP6KE30CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 25.6V 41.4V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE30CA

MAP6KE30CA

Beschreibung: TVS DIODE 25.6V 41.4V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE36CA

MAP6KE36CA

Beschreibung: TVS DIODE 30.8V 49.9V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE39A

MAP6KE39A

Beschreibung: TVS DIODE 33.3V 53.9V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE47AE3

MAP6KE47AE3

Beschreibung: TVS DIODE 40.2V 64.8V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE36AE3

MAP6KE36AE3

Beschreibung: TVS DIODE 30.8V 49.9V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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MAP6KE43CAE3

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Beschreibung: TVS DIODE 36.8V 59.3V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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MAP6KE39CA

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Beschreibung: TVS DIODE 33.3V 53.9V T-18

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Beschreibung: TVS DIODE 33.3V 53.9V T-18

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