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MAP6KE56A

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MAP6KE56A
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 47.8V 77V T-18
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    MAP6KE56A.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    47.8V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    77V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    53.2V
  • Unidirektionale Kanäle
    1
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    T-18
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    600W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    T-18, Axial
  • Andere Namen
    1086-4581
    1086-4581-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    7.8A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Anwendungen
    General Purpose

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Das Folgende sind "MAP6KE56A" -Einziper.
MAP6KE43CA

MAP6KE43CA

Beschreibung: TVS DIODE 36.8V 59.3V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE47A

MAP6KE47A

Beschreibung: TVS DIODE 40.2V 64.8V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE51CA

MAP6KE51CA

Beschreibung: TVS DIODE 43.6V 70.1V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE56AE3

MAP6KE56AE3

Beschreibung: TVS DIODE 47.8V 77V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE62AE3

MAP6KE62AE3

Beschreibung: TVS DIODE 53V 85V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE51AE3

MAP6KE51AE3

Beschreibung: TVS DIODE 43.6V 70.1V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE51CAE3

MAP6KE51CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 43.6V 70.1V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE6.8A

MAP6KE6.8A

Beschreibung: TVS DIODE 5.8V 10.5V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE62CA

MAP6KE62CA

Beschreibung: TVS DIODE 53V 85V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE43CAE3

MAP6KE43CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 36.8V 59.3V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE47CAE3

MAP6KE47CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 40.2V 64.8V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE6.8CAE3

MAP6KE6.8CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 5.8V 10.5V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE51A

MAP6KE51A

Beschreibung: TVS DIODE 43.6V 70.1V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE6.8AE3

MAP6KE6.8AE3

Beschreibung: TVS DIODE 5.8V 10.5V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE47AE3

MAP6KE47AE3

Beschreibung: TVS DIODE 40.2V 64.8V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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MAP6KE56CAE3

MAP6KE56CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 47.8V 77V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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MAP6KE6.8CA

MAP6KE6.8CA

Beschreibung: TVS DIODE 5.8V 10.5V T-18

Hersteller: Microsemi
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MAP6KE62A

MAP6KE62A

Beschreibung: TVS DIODE 53V 85V T-18

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MAP6KE56CA

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