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MAP6KE7.5CA

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MAP6KE7.5CA
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 6.4V 11.3V T-18
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    MAP6KE7.5CA.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    6.4V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    11.3V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    7.13V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    T-18
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    600W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    T-18, Axial
  • Andere Namen
    1086-4599
    1086-4599-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    53A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose

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Das Folgende sind "MAP6KE7.5CA" -Einziper.
MAP6KE68CAE3

MAP6KE68CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 58.1V 92V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE82A

MAP6KE82A

Beschreibung: TVS DIODE 70.1V 113V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE75A

MAP6KE75A

Beschreibung: TVS DIODE 64.1V 103V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE75AE3

MAP6KE75AE3

Beschreibung: TVS DIODE 64.1V 103V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE8.2CAE3

MAP6KE8.2CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE75CAE3

MAP6KE75CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 64.1V 103V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE68CA

MAP6KE68CA

Beschreibung: TVS DIODE 58.1V 92V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE68A

MAP6KE68A

Beschreibung: TVS DIODE 58.1V 92V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE62CA

MAP6KE62CA

Beschreibung: TVS DIODE 53V 85V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE75CA

MAP6KE75CA

Beschreibung: TVS DIODE 64.1V 103V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE62CAE3

MAP6KE62CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 53V 85V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE8.2A

MAP6KE8.2A

Beschreibung: TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE8.2AE3

MAP6KE8.2AE3

Beschreibung: TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE7.5AE3

MAP6KE7.5AE3

Beschreibung: TVS DIODE 6.4V 11.3V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE7.5CAE3

MAP6KE7.5CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 6.4V 11.3V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE62A

MAP6KE62A

Beschreibung: TVS DIODE 53V 85V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE62AE3

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Beschreibung: TVS DIODE 53V 85V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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MAP6KE7.5A

MAP6KE7.5A

Beschreibung: TVS DIODE 6.4V 11.3V T-18

Hersteller: Microsemi
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MAP6KE8.2CA

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Beschreibung: TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18

Hersteller: Microsemi
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