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MAP6KE82CA

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MAP6KE82CA
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 70.1V 113V T-18
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    MAP6KE82CA.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    70.1V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    113V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    77.9V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    T-18
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    600W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    T-18, Axial
  • Andere Namen
    1086-4611
    1086-4611-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    5.3A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose

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Das Folgende sind "MAP6KE82CA" -Einziper.
MAP6KE91CA

MAP6KE91CA

Beschreibung: TVS DIODE 77.8V 125V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE9.1CA

MAP6KE9.1CA

Beschreibung: TVS DIODE 7.78V 13.4V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE82A

MAP6KE82A

Beschreibung: TVS DIODE 70.1V 113V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE82AE3

MAP6KE82AE3

Beschreibung: TVS DIODE 70.1V 113V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE75AE3

MAP6KE75AE3

Beschreibung: TVS DIODE 64.1V 103V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE91AE3

MAP6KE91AE3

Beschreibung: TVS DIODE 77.8V 125V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE8.2AE3

MAP6KE8.2AE3

Beschreibung: TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE91A

MAP6KE91A

Beschreibung: TVS DIODE 77.8V 125V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP80-1012

MAP80-1012

Beschreibung: AC/DC CONVERTER 12V 80W

Hersteller: Bel
vorrätig
RFQ
MAP6KE82CAE3

MAP6KE82CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 70.1V 113V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE8.2A

MAP6KE8.2A

Beschreibung: TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE9.1A

MAP6KE9.1A

Beschreibung: TVS DIODE 7.78V 13.4V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE91CAE3

MAP6KE91CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 77.8V 125V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE9.1AE3

MAP6KE9.1AE3

Beschreibung: TVS DIODE 7.78V 13.4V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE8.2CA

MAP6KE8.2CA

Beschreibung: TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE9.1CAE3

MAP6KE9.1CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 7.78V 13.4V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE75A

MAP6KE75A

Beschreibung: TVS DIODE 64.1V 103V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE75CA

MAP6KE75CA

Beschreibung: TVS DIODE 64.1V 103V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE75CAE3

MAP6KE75CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 64.1V 103V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MAP6KE8.2CAE3

MAP6KE8.2CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18

Hersteller: Microsemi
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