Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > MASMBJ110AE3
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
1633390MASMBJ110AE3-Bild.Microsemi

MASMBJ110AE3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
180+
$5.657
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    MASMBJ110AE3
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 110V 177V DO214AA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    MASMBJ110AE3.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    110V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    177V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    122V
  • Unidirektionale Kanäle
    1
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    SMBJ (DO-214AA)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    600W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AA, SMB
  • Andere Namen
    1086-5447
    1086-5447-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    3.4A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Anwendungen
    General Purpose

AMD startet den Bau der zweiten Phase des Bangalore Design ...

2024/11/26

Die NVIDIA RTX 5090 -Grafikkarte hat eine GPU -Fläche von ...

2024/11/25

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "MASMBJ110AE3" -Einziper.
MASMBJ110CA

MASMBJ110CA

Beschreibung: TVS DIODE 110V 177V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MASMBJ120AE3

MASMBJ120AE3

Beschreibung: TVS DIODE 120V 193V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MASMBJ100A

MASMBJ100A

Beschreibung: TVS DIODE 100V 162V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MASMBJ11A

MASMBJ11A

Beschreibung: TVS DIODE 11V 18.2V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MASMBG90CAE3

MASMBG90CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 90V 146V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MASMBJ10CAE3

MASMBJ10CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 10V 17V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MASMBJ10CA

MASMBJ10CA

Beschreibung: TVS DIODE 10V 17V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MASMBJ110CAE3

MASMBJ110CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 110V 177V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MASMBJ11CAE3

MASMBJ11CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 11V 18.2V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MASMBJ120A

MASMBJ120A

Beschreibung: TVS DIODE 120V 193V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MASMBJ10AE3

MASMBJ10AE3

Beschreibung: TVS DIODE 10V 17V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MASMBJ120CAE3

MASMBJ120CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 120V 193V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MASMBJ11AE3

MASMBJ11AE3

Beschreibung: TVS DIODE 11V 18.2V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MASMBJ11CA

MASMBJ11CA

Beschreibung: TVS DIODE 11V 18.2V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MASMBJ10A

MASMBJ10A

Beschreibung: TVS DIODE 10V 17V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MASMBJ100AE3

MASMBJ100AE3

Beschreibung: TVS DIODE 100V 162V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MASMBJ110A

MASMBJ110A

Beschreibung: TVS DIODE 110V 177V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MASMBJ100CAE3

MASMBJ100CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 100V 162V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MASMBJ120CA

MASMBJ120CA

Beschreibung: TVS DIODE 120V 193V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MASMBJ100CA

MASMBJ100CA

Beschreibung: TVS DIODE 100V 162V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.