Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > MASMLJ12AE3
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
6435556MASMLJ12AE3-Bild.Microsemi

MASMLJ12AE3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
122+
$8.344
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    MASMLJ12AE3
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 12V 19.9V DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    MASMLJ12AE3.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    12V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    19.9V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    13.3V
  • Unidirektionale Kanäle
    1
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AB
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    3000W (3kW)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Andere Namen
    1086-6405
    1086-6405-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    150.6A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Anwendungen
    General Purpose

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "MASMLJ12AE3" -Einziper.
MASMLJ11CA

MASMLJ11CA

Beschreibung: TVS DIODE 11V 18.2V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MASMLJ13CA

MASMLJ13CA

Beschreibung: TVS DIODE 13V 21.5V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MASMLJ130CAE3

MASMLJ130CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 130V 209V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MASMLJ130CA

MASMLJ130CA

Beschreibung: TVS DIODE 130V 209V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MASMLJ120A

MASMLJ120A

Beschreibung: TVS DIODE 120V 193V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MASMLJ13A

MASMLJ13A

Beschreibung: TVS DIODE 13V 21.5V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MASMLJ12CA/TR

MASMLJ12CA/TR

Beschreibung: HI REL TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MASMLJ110CAE3

MASMLJ110CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 110V 177V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MASMLJ12CAE3

MASMLJ12CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 12V 19.9V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MASMLJ130A

MASMLJ130A

Beschreibung: TVS DIODE 130V 209V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MASMLJ12A

MASMLJ12A

Beschreibung: TVS DIODE 12V 19.9V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MASMLJ120CAE3

MASMLJ120CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 120V 193V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MASMLJ12CA

MASMLJ12CA

Beschreibung: TVS DIODE 12V 19.9V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MASMLJ130AE3

MASMLJ130AE3

Beschreibung: TVS DIODE 130V 209V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MASMLJ11AE3

MASMLJ11AE3

Beschreibung: TVS DIODE 11V 18.2V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MASMLJ13AE3

MASMLJ13AE3

Beschreibung: TVS DIODE 13V 21.5V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MASMLJ120CA

MASMLJ120CA

Beschreibung: TVS DIODE 120V 193V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MASMLJ11A

MASMLJ11A

Beschreibung: TVS DIODE 11V 18.2V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MASMLJ120AE3

MASMLJ120AE3

Beschreibung: TVS DIODE 120V 193V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MASMLJ11CAE3

MASMLJ11CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 11V 18.2V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.