Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > MSMBG2K3.0E3
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
6629805MSMBG2K3.0E3-Bild.Microsemi Corporation

MSMBG2K3.0E3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    MSMBG2K3.0E3
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 3VWM 5.4VC DO215AA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    MSMBG2K3.0E3.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    1
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    4.3V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    3V
  • Spannung - Durchschlag
    SMBG (DO-215AA)
  • Art
    Zener
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • RoHS Status
    Bulk
  • Ripple Current - Low Frequency
    General Purpose
  • Stromleitungsschutz
    2000W (2kW)
  • Power - Peak Pulse
    10A (8/20µs)
  • Polarisation
    DO-215AA, SMB Gull Wing
  • Andere Namen
    1086-7886
    1086-7886-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    MSMBG2K3.0E3
  • Beschreibung
    TVS DIODE 3VWM 5.4VC DO215AA
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    5.4V
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    No

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "MSMBG2K3.0E3" -Einziper.
MSMBG28AE3

MSMBG28AE3

Beschreibung: TVS DIODE 28V 45.4V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBG2K3.0

MSMBG2K3.0

Beschreibung: TVS DIODE 3VWM 5.4VC DO215AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MSMBG2K5.0E3

MSMBG2K5.0E3

Beschreibung: TVS DIODE 5VWM 7.6VC DO215AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MSMBG24CAE3

MSMBG24CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 24V 38.9V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBG28CAE3

MSMBG28CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 28V 45.4V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBG2K4.5

MSMBG2K4.5

Beschreibung: TVS DIODE 4.5VWM 6.6VC DO215AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MSMBG26A

MSMBG26A

Beschreibung: TVS DIODE 26V 42.1V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBG2K4.5E3

MSMBG2K4.5E3

Beschreibung: TVS DIODE 4.5VWM 6.6VC DO215AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MSMBG2K4.0

MSMBG2K4.0

Beschreibung: TVS DIODE 4VWM 6.3VC DO215AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MSMBG26CA

MSMBG26CA

Beschreibung: TVS DIODE 26V 42.1V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBG26CAE3

MSMBG26CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 26V 42.1V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBG2K3.3

MSMBG2K3.3

Beschreibung: TVS DIODE 3.3VWM 5.8VC DO215AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MSMBG30AE3

MSMBG30AE3

Beschreibung: TVS DIODE 30V 48.4V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBG28A

MSMBG28A

Beschreibung: TVS DIODE 28V 45.4V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBG30A

MSMBG30A

Beschreibung: TVS DIODE 30V 48.4V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBG26AE3

MSMBG26AE3

Beschreibung: TVS DIODE 26V 42.1V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBG28CA

MSMBG28CA

Beschreibung: TVS DIODE 28V 45.4V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBG2K5.0

MSMBG2K5.0

Beschreibung: TVS DIODE 5VWM 7.6VC DO215AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MSMBG2K4.0E3

MSMBG2K4.0E3

Beschreibung: TVS DIODE 4VWM 6.3VC DO215AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MSMBG2K3.3E3

MSMBG2K3.3E3

Beschreibung: TVS DIODE 3.3VWM 5.8VC DO215AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.