Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > MSMBJ18AE3
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
5300395MSMBJ18AE3-Bild.Microsemi

MSMBJ18AE3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
848+
$1.025
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    MSMBJ18AE3
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 18V 29.2V DO214AA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    MSMBJ18AE3.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    18V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    29.2V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    20V
  • Unidirektionale Kanäle
    1
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    SMBJ (DO-214AA)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    600W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AA, SMB
  • Andere Namen
    1086-8056
    1086-8056-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    20.5A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Anwendungen
    General Purpose

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "MSMBJ18AE3" -Einziper.
MSMBJ17AE3/TR

MSMBJ17AE3/TR

Beschreibung: TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBJ17CA

MSMBJ17CA

Beschreibung: TVS DIODE 17V 27.6V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBJ18CA/TR

MSMBJ18CA/TR

Beschreibung: TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBJ17AE3

MSMBJ17AE3

Beschreibung: TVS DIODE 17V 27.6V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBJ170CA/TR

MSMBJ170CA/TR

Beschreibung: TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBJ17A

MSMBJ17A

Beschreibung: TVS DIODE 17V 27.6V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBJ20CAE3

MSMBJ20CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 20V 32.4V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBJ20CA

MSMBJ20CA

Beschreibung: TVS DIODE 20V 32.4V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBJ20CA/TR

MSMBJ20CA/TR

Beschreibung: TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBJ18A/TR

MSMBJ18A/TR

Beschreibung: TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBJ20AE3

MSMBJ20AE3

Beschreibung: TVS DIODE 20V 32.4V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBJ18CA

MSMBJ18CA

Beschreibung: TVS DIODE 18V 29.2V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBJ20CAE3/TR

MSMBJ20CAE3/TR

Beschreibung: TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBJ18CAE3/TR

MSMBJ18CAE3/TR

Beschreibung: TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBJ18A

MSMBJ18A

Beschreibung: TVS DIODE 18V 29.2V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBJ170CAE3

MSMBJ170CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 170V 275V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBJ18CAE3

MSMBJ18CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 18V 29.2V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBJ17CAE3

MSMBJ17CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 17V 27.6V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBJ170CA

MSMBJ170CA

Beschreibung: TVS DIODE 170V 275V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBJ20A

MSMBJ20A

Beschreibung: TVS DIODE 20V 32.4V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.