Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > MSMBJ2K4.5
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
4210323MSMBJ2K4.5-Bild.Microsemi Corporation

MSMBJ2K4.5

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    MSMBJ2K4.5
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 4.5VWM 6.6VC DO214AA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    MSMBJ2K4.5.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    1
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    5.4V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    4.5V
  • Spannung - Durchschlag
    SMBJ (DO-214AA)
  • Art
    Zener
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • RoHS Status
    Bulk
  • Ripple Current - Low Frequency
    General Purpose
  • Stromleitungsschutz
    2000W (2kW)
  • Power - Peak Pulse
    10A (8/20µs)
  • Polarisation
    DO-214AA, SMB
  • Andere Namen
    1086-8085
    1086-8085-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    MSMBJ2K4.5
  • Beschreibung
    TVS DIODE 4.5VWM 6.6VC DO214AA
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    6.6V
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    No

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "MSMBJ2K4.5" -Einziper.
MSMBJ30A

MSMBJ30A

Beschreibung: TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBJ2K3.3

MSMBJ2K3.3

Beschreibung: TVS DIODE 3.3VWM 5.8VC DO214AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MSMBJ2K5.0

MSMBJ2K5.0

Beschreibung: TVS DIODE 5VWM 7.6VC DO214AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MSMBJ30CAE3

MSMBJ30CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBJ28CA/TR

MSMBJ28CA/TR

Beschreibung: TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBJ30AE3

MSMBJ30AE3

Beschreibung: TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBJ30AE3/TR

MSMBJ30AE3/TR

Beschreibung: TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBJ2K4.0E3

MSMBJ2K4.0E3

Beschreibung: TVS DIODE 4VWM 6.3VC DO214AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MSMBJ28CA

MSMBJ28CA

Beschreibung: TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO214AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MSMBJ33A

MSMBJ33A

Beschreibung: TVS DIODE 33V 53.3V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBJ2K3.0E3

MSMBJ2K3.0E3

Beschreibung: TVS DIODE 3VWM 5.4VC DO214AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MSMBJ2K3.3E3

MSMBJ2K3.3E3

Beschreibung: TVS DIODE 3.3VWM 5.8VC DO214AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MSMBJ2K5.0E3

MSMBJ2K5.0E3

Beschreibung: TVS DIODE 5VWM 7.6VC DO214AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MSMBJ2K4.0

MSMBJ2K4.0

Beschreibung: TVS DIODE 4VWM 6.3VC DO214AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MSMBJ28CAE3

MSMBJ28CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 28V 45.4V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBJ2K4.5E3

MSMBJ2K4.5E3

Beschreibung: TVS DIODE 4.5VWM 6.6VC DO214AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MSMBJ28AE3/TR

MSMBJ28AE3/TR

Beschreibung: TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBJ30CA

MSMBJ30CA

Beschreibung: TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBJ30A/TR

MSMBJ30A/TR

Beschreibung: TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMBJ2K3.0

MSMBJ2K3.0

Beschreibung: TVS DIODE 3VWM 5.4VC DO214AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.