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MSMCGLCE51AE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MSMCGLCE51AE3
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 51V 82.4V DO215AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    MSMCGLCE51AE3.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    51V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    82.4V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    56.7V
  • Unidirektionale Kanäle
    1
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    SMCG (DO-215AB)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-215AB, SMC Gull Wing
  • Andere Namen
    1086-8460
    1086-8460-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    18.2A
  • Kapazität @ Frequenz
    100pF @ 1MHz
  • Anwendungen
    General Purpose

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MSMCGLCE45AE3

MSMCGLCE45AE3

Beschreibung: TVS DIODE 45V 72.7V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCGLCE64A

MSMCGLCE64A

Beschreibung: TVS DIODE 64V 103V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCGLCE43A

MSMCGLCE43A

Beschreibung: TVS DIODE 43V 69.4V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCGLCE64AE3

MSMCGLCE64AE3

Beschreibung: TVS DIODE 64V 103V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCGLCE54A

MSMCGLCE54A

Beschreibung: TVS DIODE 54V 87.1V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCGLCE45A

MSMCGLCE45A

Beschreibung: TVS DIODE 45V 72.7V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCGLCE40A

MSMCGLCE40A

Beschreibung: TVS DIODE 40V 64.5V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCGLCE48AE3

MSMCGLCE48AE3

Beschreibung: TVS DIODE 48V 77.4V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCGLCE43AE3

MSMCGLCE43AE3

Beschreibung: TVS DIODE 43V 69.4V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCGLCE58AE3

MSMCGLCE58AE3

Beschreibung: TVS DIODE 58V 93.6V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCGLCE51A

MSMCGLCE51A

Beschreibung: TVS DIODE 51V 82.4V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCGLCE6.5AE3

MSMCGLCE6.5AE3

Beschreibung: TVS DIODE 6.5V 11.2V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCGLCE40AE3

MSMCGLCE40AE3

Beschreibung: TVS DIODE 40V 64.5V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCGLCE60AE3

MSMCGLCE60AE3

Beschreibung: TVS DIODE 60V 96.8V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCGLCE6.5A

MSMCGLCE6.5A

Beschreibung: TVS DIODE 6.5V 11.2V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCGLCE60A

MSMCGLCE60A

Beschreibung: TVS DIODE 60V 96.8V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCGLCE54AE3

MSMCGLCE54AE3

Beschreibung: TVS DIODE 54V 87.1V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCGLCE48A

MSMCGLCE48A

Beschreibung: TVS DIODE 48V 77.4V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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MSMCGLCE36AE3

MSMCGLCE36AE3

Beschreibung: TVS DIODE 36V 58.1V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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MSMCGLCE58A

MSMCGLCE58A

Beschreibung: TVS DIODE 58V 93.6V DO215AB

Hersteller: Microsemi
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