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MSMCGLCE90AE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MSMCGLCE90AE3
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 90V 146V DO215AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    MSMCGLCE90AE3.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    90V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    146V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    100V
  • Unidirektionale Kanäle
    1
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    SMCG (DO-215AB)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-215AB, SMC Gull Wing
  • Andere Namen
    1086-8488
    1086-8488-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    10.3A
  • Kapazität @ Frequenz
    90pF @ 1MHz
  • Anwendungen
    General Purpose

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MSMCJ10AE3/TR

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Beschreibung: TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCGLCE75AE3

MSMCGLCE75AE3

Beschreibung: TVS DIODE 75V 121V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJ100CA

MSMCJ100CA

Beschreibung: TVS DIODE 100V 162V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCGLCE8.5AE3

MSMCGLCE8.5AE3

Beschreibung: TVS DIODE 8.5V 14.4V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJ100AE3

MSMCJ100AE3

Beschreibung: TVS DIODE 100V 162V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCGLCE9.0AE3

MSMCGLCE9.0AE3

Beschreibung: TVS DIODE 9V 15.4V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJ10A

MSMCJ10A

Beschreibung: TVS DIODE 10V 17V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJ100CAE3

MSMCJ100CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 100V 162V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCGLCE8.0A

MSMCGLCE8.0A

Beschreibung: TVS DIODE 8V 13.6V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCGLCE80AE3

MSMCGLCE80AE3

Beschreibung: TVS DIODE 80V 129V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCGLCE8.5A

MSMCGLCE8.5A

Beschreibung: TVS DIODE 8.5V 14.4V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJ10A/TR

MSMCJ10A/TR

Beschreibung: TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJ100A/TR

MSMCJ100A/TR

Beschreibung: TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJ100CA/TR

MSMCJ100CA/TR

Beschreibung: TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCGLCE80A

MSMCGLCE80A

Beschreibung: TVS DIODE 80V 129V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCGLCE8.0AE3

MSMCGLCE8.0AE3

Beschreibung: TVS DIODE 8V 13.6V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCGLCE90A

MSMCGLCE90A

Beschreibung: TVS DIODE 90V 146V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJ10AE3

MSMCJ10AE3

Beschreibung: TVS DIODE 10V 17V DO214AB

Hersteller: Microsemi
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RFQ
MSMCJ100A

MSMCJ100A

Beschreibung: TVS DIODE 100V 162V DO214AB

Hersteller: Microsemi
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MSMCGLCE9.0A

MSMCGLCE9.0A

Beschreibung: TVS DIODE 9V 15.4V DO215AB

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