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MSMCJLCE11A/TR

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$4.623
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MSMCJLCE11A/TR
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
    MSMCJLCE11A/TR.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    11V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    18.2V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    12.2V
  • Unidirektionale Kanäle
    1
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    SMCJ (DO-214AB)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Andere Namen
    MSMCJLCE11A/TRMS
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    82A
  • Kapazität @ Frequenz
    100pF @ 1MHz
  • Anwendungen
    General Purpose

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Das Folgende sind "MSMCJLCE11A/TR" -Einziper.
MSMCJLCE13A

MSMCJLCE13A

Beschreibung: TVS DIODE 13V 21.5V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJLCE110A/TR

MSMCJLCE110A/TR

Beschreibung: TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJLCE12AE3/TR

MSMCJLCE12AE3/TR

Beschreibung: TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJLCE12AE3

MSMCJLCE12AE3

Beschreibung: TVS DIODE 12V 19.9V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJLCE110AE3

MSMCJLCE110AE3

Beschreibung: TVS DIODE 110V 178V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJLCE10A/TR

MSMCJLCE10A/TR

Beschreibung: TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJLCE10AE3

MSMCJLCE10AE3

Beschreibung: TVS DIODE 10V 17V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJLCE12A

MSMCJLCE12A

Beschreibung: TVS DIODE 12V 19.9V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJLCE130A

MSMCJLCE130A

Beschreibung: TVS DIODE 130V 209V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJLCE130AE3

MSMCJLCE130AE3

Beschreibung: TVS DIODE 130V 209V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJLCE11A

MSMCJLCE11A

Beschreibung: TVS DIODE 11V 18.2V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJLCE110A

MSMCJLCE110A

Beschreibung: TVS DIODE 110V 178V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJLCE11AE3

MSMCJLCE11AE3

Beschreibung: TVS DIODE 11V 18.2V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJLCE10AE3/TR

MSMCJLCE10AE3/TR

Beschreibung: TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJLCE100AE3

MSMCJLCE100AE3

Beschreibung: TVS DIODE 100V 162V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJLCE120AE3

MSMCJLCE120AE3

Beschreibung: TVS DIODE 120V 193V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJLCE120A

MSMCJLCE120A

Beschreibung: TVS DIODE 120V 193V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJLCE110AE3/TR

MSMCJLCE110AE3/TR

Beschreibung: TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJLCE10A

MSMCJLCE10A

Beschreibung: TVS DIODE 10V 17V DO214AB

Hersteller: Microsemi
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MSMCJLCE12A/TR

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Beschreibung: TVS

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