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MSMCJLCE8.0A/TR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MSMCJLCE8.0A/TR
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
    MSMCJLCE8.0A/TR.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    8V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    13.6V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    8.89V
  • Unidirektionale Kanäle
    1
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    SMCJ (DO-214AB)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Andere Namen
    MSMCJLCE8.0A/TRMS
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    100A
  • Kapazität @ Frequenz
    100pF @ 1MHz
  • Anwendungen
    General Purpose

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Das Folgende sind "MSMCJLCE8.0A/TR" -Einziper.
MSMCJLCE9.0A

MSMCJLCE9.0A

Beschreibung: TVS DIODE 9V 15.4V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJLCE7.5AE3/TR

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Beschreibung: TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJLCE7.5A/TR

MSMCJLCE7.5A/TR

Beschreibung: TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJLCE70A

MSMCJLCE70A

Beschreibung: TVS DIODE 70V 113V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJLCE7.5AE3

MSMCJLCE7.5AE3

Beschreibung: TVS DIODE 7.5V 12.9V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJLCE8.5A/TR

MSMCJLCE8.5A/TR

Beschreibung: TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJLCE8.0AE3/TR

MSMCJLCE8.0AE3/TR

Beschreibung: TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJLCE8.5AE3/TR

MSMCJLCE8.5AE3/TR

Beschreibung: TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJLCE80A

MSMCJLCE80A

Beschreibung: TVS DIODE 80V 129V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJLCE75A

MSMCJLCE75A

Beschreibung: TVS DIODE 75V 121V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJLCE75AE3

MSMCJLCE75AE3

Beschreibung: TVS DIODE 75V 121V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJLCE70AE3/TR

MSMCJLCE70AE3/TR

Beschreibung: TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJLCE9.0AE3

MSMCJLCE9.0AE3

Beschreibung: TVS DIODE 9V 15.4V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJLCE8.0AE3

MSMCJLCE8.0AE3

Beschreibung: TVS DIODE 8V 13.6V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJLCE70AE3

MSMCJLCE70AE3

Beschreibung: TVS DIODE 70V 113V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJLCE80AE3

MSMCJLCE80AE3

Beschreibung: TVS DIODE 80V 129V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJLCE8.5A

MSMCJLCE8.5A

Beschreibung: TVS DIODE 8.5V 14.4V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MSMCJLCE75AE3/TR

MSMCJLCE75AE3/TR

Beschreibung: TVS

Hersteller: Microsemi
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RFQ
MSMCJLCE8.0A

MSMCJLCE8.0A

Beschreibung: TVS DIODE 8V 13.6V DO214AB

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