MV2N4860

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Spezifikation

Artikelnummer

MV2N4860
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

N CHANNEL JFET
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

MV2N4860.pdf
Spannung - Cutoff (VGS off) @ Id

6V @ 500pA
Spannung - Durchschlag (V (BR) GSS)

30V
Supplier Device-Gehäuse

TO-18
Serie

Military, MIL-PRF-19500/385
Resistance - RDS (on)

40 Ohms
Leistung - max

360mW
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

18pF @ 10V
Typ FET

N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

JFET N-Channel 30V 360mW Through Hole TO-18
Strom - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0)

100mA @ 15V

Das Folgende sind "MV2N4860" -Einziper.

MV2N4858

Beschreibung: N CHANNEL JFET

Hersteller: Microsemi

vorrätig

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Beschreibung: P CHANNEL JFET

Hersteller: Microsemi

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Beschreibung: N CHANNEL JFET

Hersteller: Microsemi

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Beschreibung: N CHANNEL JFET

Hersteller: Microsemi

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MV2N4392

Beschreibung: N CHANNEL JFET

Hersteller: Microsemi

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MV2N4857UB

Beschreibung: N CHANNEL JFET

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Beschreibung: N CHANNEL JFET

Hersteller: Microsemi

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Beschreibung: N CHANNEL JFET

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Beschreibung: N CHANNEL JFET

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