Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > MXLP6KE13CAE3
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
1656075

MXLP6KE13CAE3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
100+
$11.632
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    MXLP6KE13CAE3
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 11.1V 18.2V T-18
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    11.1V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    18.2V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    12.4V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    T-18
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    600W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    T-18, Axial
  • Andere Namen
    1086-10618
    1086-10618-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    33A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "MXLP6KE13CAE3" -Einziper.
MXLP6KE13CA

MXLP6KE13CA

Beschreibung: TVS DIODE 11.1V 18.2V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLP6KE130AE3

MXLP6KE130AE3

Beschreibung: TVS DIODE 111V 179V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLP6KE150A

MXLP6KE150A

Beschreibung: TVS DIODE 128V 207V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLP6KE130CA

MXLP6KE130CA

Beschreibung: TVS DIODE 111V 179V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLP6KE160AE3

MXLP6KE160AE3

Beschreibung: TVS DIODE 136V 219V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLP6KE12CAE3

MXLP6KE12CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 10.2V 16.7V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLP6KE130CAE3

MXLP6KE130CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 111V 179V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLP6KE160A

MXLP6KE160A

Beschreibung: TVS DIODE 136V 219V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLP6KE150CA

MXLP6KE150CA

Beschreibung: TVS DIODE 128V 207V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLP6KE150AE3

MXLP6KE150AE3

Beschreibung: TVS DIODE 128V 207V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLP6KE150CAE3

MXLP6KE150CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 128V 207V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLP6KE15AE3

MXLP6KE15AE3

Beschreibung: TVS DIODE 12.8V 21.2V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLP6KE12AE3

MXLP6KE12AE3

Beschreibung: TVS DIODE 10.2V 16.7V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLP6KE13AE3

MXLP6KE13AE3

Beschreibung: TVS DIODE 11.1V 18.2V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLP6KE15A

MXLP6KE15A

Beschreibung: TVS DIODE 12.8V 21.2V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLP6KE12CA

MXLP6KE12CA

Beschreibung: TVS DIODE 10.2V 16.7V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLP6KE13A

MXLP6KE13A

Beschreibung: TVS DIODE 11.1V 18.2V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLP6KE15CA

MXLP6KE15CA

Beschreibung: TVS DIODE 12.8V 21.2V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLP6KE15CAE3

MXLP6KE15CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 12.8V 21.2V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLP6KE130A

MXLP6KE130A

Beschreibung: TVS DIODE 111V 179V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.