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MXLPLAD30KP110AE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MXLPLAD30KP110AE3
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 110V 177V PLAD
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    MXLPLAD30KP110AE3.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    110V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    177V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    122V
  • Unidirektionale Kanäle
    1
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    PLAD
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    30000W (30kW)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Nonstandard SMD
  • Andere Namen
    1086-10920
    1086-10920-MIL
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    168A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Anwendungen
    General Purpose

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Beschreibung: TVS DIODE 9V 15.4V PLAD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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MXLPLAD30KP110CAE3

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Beschreibung: TVS DIODE 110V 177V PLAD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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MXLPLAD30KP100CAE3

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Beschreibung: TVS DIODE 100V 162V PLAD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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MXLPLAD30KP110CA

MXLPLAD30KP110CA

Beschreibung: TVS DIODE 110V 177V PLAD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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MXLPLAD30KP120CAE3

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Beschreibung: TVS DIODE 120V 193V PLAD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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MXLPLAD30KP100A

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Beschreibung: TVS DIODE 100V 162V PLAD

Hersteller: Microsemi
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MXLPLAD30KP130CAE3

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Beschreibung: TVS DIODE 130V 209V PLAD

Hersteller: Microsemi
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MXLPLAD30KP120AE3

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