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MXLPLAD36KP100CAE3

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  • Artikelnummer
    MXLPLAD36KP100CAE3
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 100V 162V PLAD
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MXLPLAD36KP100CAE3.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    100V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    162V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    111V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    PLAD
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    36000W (36kW)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Nonstandard SMD
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    223A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose

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Beschreibung: TVS DIODE 100V 162V PLAD

Hersteller: Microsemi
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Beschreibung: TVS DIODE 130V 209V PLAD

Hersteller: Microsemi
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MXLPLAD36KP110A

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Beschreibung: TVS DIODE 110V 177V PLAD

Hersteller: Microsemi
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MXLPLAD36KP120CA

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Beschreibung: TVS DIODE 120V 193V PLAD

Hersteller: Microsemi
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MXLPLAD36KP110CAE3

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Beschreibung: TVS DIODE 110V 177V PLAD

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MXLPLAD36KP110AE3

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MXLPLAD36KP100AE3

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Beschreibung: TVS DIODE 100V 162V PLAD

Hersteller: Microsemi
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MXLPLAD30KP90CAE3

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Beschreibung: TVS DIODE 90V 146V PLAD

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MXLPLAD30KP90CA

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Beschreibung: TVS DIODE 90V 146V PLAD

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Beschreibung: TVS DIODE 100V 162V PLAD

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MXLPLAD36KP130AE3

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Beschreibung: TVS DIODE 130V 209V PLAD

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MXLPLAD36KP110CA

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Beschreibung: TVS DIODE 110V 177V PLAD

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MXLPLAD30KP85CA

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Beschreibung: TVS DIODE 85V 137V PLAD

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Beschreibung: TVS DIODE 120V 193V PLAD

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