Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > MXLSMBG9.0AE3
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
6159784MXLSMBG9.0AE3-Bild.Microsemi

MXLSMBG9.0AE3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
100+
$10.977
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    MXLSMBG9.0AE3
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 9V 15.4V DO215AA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    MXLSMBG9.0AE3.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    9V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    15.4V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    10V
  • Unidirektionale Kanäle
    1
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    SMBG (DO-215AA)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    600W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-215AA, SMB Gull Wing
  • Andere Namen
    1086-11542
    1086-11542-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    39A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Anwendungen
    General Purpose

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "MXLSMBG9.0AE3" -Einziper.
MXLSMBJ100CAE3

MXLSMBJ100CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 100V 162V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMBG85A

MXLSMBG85A

Beschreibung: TVS DIODE 85V 137V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMBG90A

MXLSMBG90A

Beschreibung: TVS DIODE 90V 146V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMBG9.0A

MXLSMBG9.0A

Beschreibung: TVS DIODE 9V 15.4V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMBG85AE3

MXLSMBG85AE3

Beschreibung: TVS DIODE 85V 137V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMBG8.5A

MXLSMBG8.5A

Beschreibung: TVS DIODE 8.5V 14.4V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMBG85CAE3

MXLSMBG85CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 85V 137V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMBJ100AE3

MXLSMBJ100AE3

Beschreibung: TVS DIODE 100V 162V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMBG9.0CA

MXLSMBG9.0CA

Beschreibung: TVS DIODE 9V 15.4V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMBG90CAE3

MXLSMBG90CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 90V 146V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMBG85CA

MXLSMBG85CA

Beschreibung: TVS DIODE 85V 137V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMBG8.0CAE3

MXLSMBG8.0CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 8V 13.6V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMBG8.5AE3

MXLSMBG8.5AE3

Beschreibung: TVS DIODE 8.5V 14.4V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMBG8.5CAE3

MXLSMBG8.5CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 8.5V 14.4V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMBG90CA

MXLSMBG90CA

Beschreibung: TVS DIODE 90V 146V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMBG8.5CA

MXLSMBG8.5CA

Beschreibung: TVS DIODE 8.5V 14.4V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMBJ100A

MXLSMBJ100A

Beschreibung: TVS DIODE 100V 162V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMBG9.0CAE3

MXLSMBG9.0CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 9V 15.4V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMBJ100CA

MXLSMBJ100CA

Beschreibung: TVS DIODE 100V 162V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMBG90AE3

MXLSMBG90AE3

Beschreibung: TVS DIODE 90V 146V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.