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MXLSMBJ58CAE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MXLSMBJ58CAE3
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 58V 93.6V DO214AA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    MXLSMBJ58CAE3.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    58V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    93.6V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    64.4V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    SMBJ (DO-214AA)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    600W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AA, SMB
  • Andere Namen
    1086-11686
    1086-11686-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    6.4A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose

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Das Folgende sind "MXLSMBJ58CAE3" -Einziper.
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Hersteller: Microsemi
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MXLSMBJ6.5AE3

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Beschreibung: TVS DIODE 6.5V 11.2V DO214AA

Hersteller: Microsemi
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MXLSMBJ58AE3

MXLSMBJ58AE3

Beschreibung: TVS DIODE 58V 93.6V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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MXLSMBJ6.0CAE3

MXLSMBJ6.0CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 6V 10.3V DO214AA

Hersteller: Microsemi
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MXLSMBJ51CA

MXLSMBJ51CA

Beschreibung: TVS DIODE 51V 82.4V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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MXLSMBJ51AE3

MXLSMBJ51AE3

Beschreibung: TVS DIODE 51V 82.4V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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MXLSMBJ6.0A

MXLSMBJ6.0A

Beschreibung: TVS DIODE 6V 10.3V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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MXLSMBJ6.0CA

MXLSMBJ6.0CA

Beschreibung: TVS DIODE 6V 10.3V DO214AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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MXLSMBJ6.0AE3

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MXLSMBJ6.5A

MXLSMBJ6.5A

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MXLSMBJ58A

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Beschreibung: TVS DIODE 58V 93.6V DO214AA

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MXLSMBJ6.5CA

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MXLSMBJ51CAE3

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MXLSMBJ60AE3

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Beschreibung: TVS DIODE 60V 96.8V DO214AA

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MXLSMBJ54AE3

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