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MXLSMCGLCE12A

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MXLSMCGLCE12A
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO215AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    MXLSMCGLCE12A.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    1
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    13.3V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    12V
  • Spannung - Durchschlag
    SMCG (DO-215AB)
  • Art
    Zener
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • RoHS Status
    Bulk
  • Ripple Current - Low Frequency
    General Purpose
  • Stromleitungsschutz
    1500W (1.5kW)
  • Power - Peak Pulse
    75A
  • Polarisation
    DO-215AB, SMC Gull Wing
  • Andere Namen
    1086-11965
    1086-11965-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    MXLSMCGLCE12A
  • Beschreibung
    TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO215AB
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    19.9V
  • Kapazität @ Frequenz
    100pF @ 1MHz
  • Bidirektionale Kanäle
    No

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Das Folgende sind "MXLSMCGLCE12A" -Einziper.
MXLSMCGLCE120AE3

MXLSMCGLCE120AE3

Beschreibung: TVS DIODE 120VWM 193VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE100A

MXLSMCGLCE100A

Beschreibung: TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE120A

MXLSMCGLCE120A

Beschreibung: TVS DIODE 120VWM 193VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE150AE3

MXLSMCGLCE150AE3

Beschreibung: TVS DIODE 150VWM 243VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE14AE3

MXLSMCGLCE14AE3

Beschreibung: TVS DIODE 14VWM 23.2VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE11A

MXLSMCGLCE11A

Beschreibung: TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE130A

MXLSMCGLCE130A

Beschreibung: TVS DIODE 130VWM 209VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE10AE3

MXLSMCGLCE10AE3

Beschreibung: TVS DIODE 10VWM 17VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE110AE3

MXLSMCGLCE110AE3

Beschreibung: TVS DIODE 110VWM 178VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
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MXLSMCGLCE12AE3

MXLSMCGLCE12AE3

Beschreibung: TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE150A

MXLSMCGLCE150A

Beschreibung: TVS DIODE 150VWM 243VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE13A

MXLSMCGLCE13A

Beschreibung: TVS DIODE 13VWM 21.5VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE15A

MXLSMCGLCE15A

Beschreibung: TVS DIODE 15VWM 24.4VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
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MXLSMCGLCE14A

MXLSMCGLCE14A

Beschreibung: TVS DIODE 14VWM 23.2VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
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MXLSMCGLCE100AE3

MXLSMCGLCE100AE3

Beschreibung: TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
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MXLSMCGLCE130AE3

MXLSMCGLCE130AE3

Beschreibung: TVS DIODE 130VWM 209VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
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MXLSMCGLCE110A

MXLSMCGLCE110A

Beschreibung: TVS DIODE 110VWM 178VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
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MXLSMCGLCE13AE3

MXLSMCGLCE13AE3

Beschreibung: TVS DIODE 13VWM 21.5VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
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MXLSMCGLCE11AE3

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Beschreibung: TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
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MXLSMCGLCE10A

MXLSMCGLCE10A

Beschreibung: TVS DIODE 10VWM 17VC DO215AB

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