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MXLSMCGLCE45AE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MXLSMCGLCE45AE3
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO215AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    MXLSMCGLCE45AE3.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    1
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    50V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    45V
  • Spannung - Durchschlag
    SMCG (DO-215AB)
  • Art
    Zener
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • RoHS Status
    Bulk
  • Ripple Current - Low Frequency
    General Purpose
  • Stromleitungsschutz
    1500W (1.5kW)
  • Power - Peak Pulse
    20.6A
  • Polarisation
    DO-215AB, SMC Gull Wing
  • Andere Namen
    1086-12008
    1086-12008-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    MXLSMCGLCE45AE3
  • Beschreibung
    TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO215AB
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    72.7V
  • Kapazität @ Frequenz
    100pF @ 1MHz
  • Bidirektionale Kanäle
    No

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Das Folgende sind "MXLSMCGLCE45AE3" -Einziper.
MXLSMCGLCE30AE3

MXLSMCGLCE30AE3

Beschreibung: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE36A

MXLSMCGLCE36A

Beschreibung: TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE51A

MXLSMCGLCE51A

Beschreibung: TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE6.5A

MXLSMCGLCE6.5A

Beschreibung: TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE36AE3

MXLSMCGLCE36AE3

Beschreibung: TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE58AE3

MXLSMCGLCE58AE3

Beschreibung: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE40A

MXLSMCGLCE40A

Beschreibung: TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE43AE3

MXLSMCGLCE43AE3

Beschreibung: TVS DIODE 43VWM 69.4VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE43A

MXLSMCGLCE43A

Beschreibung: TVS DIODE 43VWM 69.4VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE40AE3

MXLSMCGLCE40AE3

Beschreibung: TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE48A

MXLSMCGLCE48A

Beschreibung: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE54A

MXLSMCGLCE54A

Beschreibung: TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE51AE3

MXLSMCGLCE51AE3

Beschreibung: TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE45A

MXLSMCGLCE45A

Beschreibung: TVS DIODE 45VWM 72.7VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE33AE3

MXLSMCGLCE33AE3

Beschreibung: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE33A

MXLSMCGLCE33A

Beschreibung: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE48AE3

MXLSMCGLCE48AE3

Beschreibung: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
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MXLSMCGLCE58A

MXLSMCGLCE58A

Beschreibung: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE6.5AE3

MXLSMCGLCE6.5AE3

Beschreibung: TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
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MXLSMCGLCE54AE3

MXLSMCGLCE54AE3

Beschreibung: TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
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