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MXLSMCGLCE60AE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MXLSMCGLCE60AE3
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 60VWM 96.8VC DO215AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    MXLSMCGLCE60AE3.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    1
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    66.7V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    60V
  • Spannung - Durchschlag
    SMCG (DO-215AB)
  • Art
    Zener
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • RoHS Status
    Bulk
  • Ripple Current - Low Frequency
    General Purpose
  • Stromleitungsschutz
    1500W (1.5kW)
  • Power - Peak Pulse
    15.5A
  • Polarisation
    DO-215AB, SMC Gull Wing
  • Andere Namen
    1086-12020
    1086-12020-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    MXLSMCGLCE60AE3
  • Beschreibung
    TVS DIODE 60VWM 96.8VC DO215AB
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    96.8V
  • Kapazität @ Frequenz
    90pF @ 1MHz
  • Bidirektionale Kanäle
    No

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MXLSMCGLCE64AE3

MXLSMCGLCE64AE3

Beschreibung: TVS DIODE 64VWM 103VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE60A

MXLSMCGLCE60A

Beschreibung: TVS DIODE 60VWM 96.8VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE48AE3

MXLSMCGLCE48AE3

Beschreibung: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE6.5AE3

MXLSMCGLCE6.5AE3

Beschreibung: TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE7.0A

MXLSMCGLCE7.0A

Beschreibung: TVS DIODE 7VWM 12VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE58A

MXLSMCGLCE58A

Beschreibung: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE58AE3

MXLSMCGLCE58AE3

Beschreibung: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE51AE3

MXLSMCGLCE51AE3

Beschreibung: TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE75A

MXLSMCGLCE75A

Beschreibung: TVS DIODE 75VWM 121VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE7.0AE3

MXLSMCGLCE7.0AE3

Beschreibung: TVS DIODE 7VWM 12VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE70AE3

MXLSMCGLCE70AE3

Beschreibung: TVS DIODE 70VWM 113VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE7.5AE3

MXLSMCGLCE7.5AE3

Beschreibung: TVS DIODE 7.5VWM 12.9VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE7.5A

MXLSMCGLCE7.5A

Beschreibung: TVS DIODE 7.5VWM 12.9VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE6.5A

MXLSMCGLCE6.5A

Beschreibung: TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE54A

MXLSMCGLCE54A

Beschreibung: TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE75AE3

MXLSMCGLCE75AE3

Beschreibung: TVS DIODE 75VWM 121VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE51A

MXLSMCGLCE51A

Beschreibung: TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE64A

MXLSMCGLCE64A

Beschreibung: TVS DIODE 64VWM 103VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE70A

MXLSMCGLCE70A

Beschreibung: TVS DIODE 70VWM 113VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
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MXLSMCGLCE54AE3

MXLSMCGLCE54AE3

Beschreibung: TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
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