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Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > MXLSMCJ100AE3
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4304348MXLSMCJ100AE3-Bild.Microsemi

MXLSMCJ100AE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MXLSMCJ100AE3
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 100V 162V DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    MXLSMCJ100AE3.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    100V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    162V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    111V
  • Unidirektionale Kanäle
    1
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AB (SMCJ)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Andere Namen
    1086-12042
    1086-12042-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    9.3A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Anwendungen
    General Purpose

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Das Folgende sind "MXLSMCJ100AE3" -Einziper.
MXLSMCJ10AE3

MXLSMCJ10AE3

Beschreibung: TVS DIODE 10V 17V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMCJ110AE3

MXLSMCJ110AE3

Beschreibung: TVS DIODE 110V 177V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMCJ110CA

MXLSMCJ110CA

Beschreibung: TVS DIODE 110V 177V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMCJ100A

MXLSMCJ100A

Beschreibung: TVS DIODE 100V 162V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMCJ110CAE3

MXLSMCJ110CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 110V 177V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMCJ10CA

MXLSMCJ10CA

Beschreibung: TVS DIODE 10V 17V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMCJ10A

MXLSMCJ10A

Beschreibung: TVS DIODE 10V 17V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE90A

MXLSMCGLCE90A

Beschreibung: TVS DIODE 90VWM 146VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE8.5AE3

MXLSMCGLCE8.5AE3

Beschreibung: TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE90AE3

MXLSMCGLCE90AE3

Beschreibung: TVS DIODE 90VWM 146VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCJ110A

MXLSMCJ110A

Beschreibung: TVS DIODE 110V 177V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMCJ10CAE3

MXLSMCJ10CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 10V 17V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE8.0AE3

MXLSMCGLCE8.0AE3

Beschreibung: TVS DIODE 8VWM 13.6VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE80A

MXLSMCGLCE80A

Beschreibung: TVS DIODE 80VWM 129VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXLSMCJ100CA

MXLSMCJ100CA

Beschreibung: TVS DIODE 100V 162V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMCGLCE9.0A

MXLSMCGLCE9.0A

Beschreibung: TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
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MXLSMCGLCE9.0AE3

MXLSMCGLCE9.0AE3

Beschreibung: TVS DIODE 9VWM 15.4VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
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MXLSMCJ100CAE3

MXLSMCJ100CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 100V 162V DO214AB

Hersteller: Microsemi
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MXLSMCGLCE8.5A

MXLSMCGLCE8.5A

Beschreibung: TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
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Beschreibung: TVS DIODE 80VWM 129VC DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
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