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Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > MXLSMCJ6.0CAE3
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167517MXLSMCJ6.0CAE3-Bild.Microsemi

MXLSMCJ6.0CAE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MXLSMCJ6.0CAE3
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 6V 10.3V DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    MXLSMCJ6.0CAE3.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    6V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    10.3V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    6.67V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AB (SMCJ)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Andere Namen
    1086-12172
    1086-12172-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    145.6A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose

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MXLSMCJ58A

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Beschreibung: TVS DIODE 58V 93.6V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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MXLSMCJ6.0CA

MXLSMCJ6.0CA

Beschreibung: TVS DIODE 6V 10.3V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMCJ6.0CA/TR

MXLSMCJ6.0CA/TR

Beschreibung: HI REL TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMCJ64A

MXLSMCJ64A

Beschreibung: TVS DIODE 64V 103V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMCJ6.0AE3

MXLSMCJ6.0AE3

Beschreibung: TVS DIODE 6V 10.3V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMCJ58CA

MXLSMCJ58CA

Beschreibung: TVS DIODE 58V 93.6V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMCJ6.5A

MXLSMCJ6.5A

Beschreibung: TVS DIODE 6.5V 11.2V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMCJ6.0A

MXLSMCJ6.0A

Beschreibung: TVS DIODE 6V 10.3V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMCJ60A

MXLSMCJ60A

Beschreibung: TVS DIODE 60V 96.8V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMCJ54CAE3

MXLSMCJ54CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 54V 87.1V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMCJ6.5A/TR

MXLSMCJ6.5A/TR

Beschreibung: HI REL TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMCJ60AE3

MXLSMCJ60AE3

Beschreibung: TVS DIODE 60V 96.8V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMCJ6.5CAE3

MXLSMCJ6.5CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 6.5V 11.2V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMCJ58AE3

MXLSMCJ58AE3

Beschreibung: TVS DIODE 58V 93.6V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMCJ58CAE3

MXLSMCJ58CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 58V 93.6V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXLSMCJ6.5AE3

MXLSMCJ6.5AE3

Beschreibung: TVS DIODE 6.5V 11.2V DO214AB

Hersteller: Microsemi
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RFQ
MXLSMCJ60CAE3

MXLSMCJ60CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 60V 96.8V DO214AB

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MXLSMCJ6.5CA

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Beschreibung: TVS DIODE 6.5V 11.2V DO214AB

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MXLSMCJ60CA

MXLSMCJ60CA

Beschreibung: TVS DIODE 60V 96.8V DO214AB

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MXLSMCJ54CA

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