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Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > MXP4KE8.2AE3
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175897MXP4KE8.2AE3-Bild.Microsemi Corporation

MXP4KE8.2AE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MXP4KE8.2AE3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO41
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    1
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    7.79V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    7.02V
  • Spannung - Durchschlag
    DO-204AL (DO-41)
  • Art
    Zener
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • RoHS Status
    Bulk
  • Ripple Current - Low Frequency
    General Purpose
  • Stromleitungsschutz
    400W
  • Power - Peak Pulse
    33A
  • Polarisation
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Andere Namen
    1086-12832
    1086-12832-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    MXP4KE8.2AE3
  • Beschreibung
    TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO41
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    12.1V
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    No
MXP4KE7.5AE3

MXP4KE7.5AE3

Beschreibung: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC DO41

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MXP4KE75CAE3

MXP4KE75CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 64.1VWM 103VC DO41

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MXP4KE75A

MXP4KE75A

Beschreibung: TVS DIODE 64.1VWM 103VC DO41

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MXP4KE82CAE3

MXP4KE82CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 70.1VWM 113VC DO41

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MXP4KE82A

MXP4KE82A

Beschreibung: TVS DIODE 70.1VWM 113VC DO41

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MXP4KE9.1CAE3

MXP4KE9.1CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO41

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MXP4KE82CA

MXP4KE82CA

Beschreibung: TVS DIODE 70.1VWM 113VC DO41

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MXP4KE8.2CAE3

MXP4KE8.2CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO41

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MXP4KE75AE3

MXP4KE75AE3

Beschreibung: TVS DIODE 64.1VWM 103VC DO41

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MXP4KE9.1CA

MXP4KE9.1CA

Beschreibung: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO41

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MXP4KE75CA

MXP4KE75CA

Beschreibung: TVS DIODE 64.1VWM 103VC DO41

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MXP4KE82AE3

MXP4KE82AE3

Beschreibung: TVS DIODE 70.1VWM 113VC DO41

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MXP4KE7.5CAE3

MXP4KE7.5CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC DO41

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MXP4KE8.2CA

MXP4KE8.2CA

Beschreibung: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO41

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MXP4KE9.1AE3

MXP4KE9.1AE3

Beschreibung: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO41

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MXP4KE9.1A

MXP4KE9.1A

Beschreibung: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO41

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MXP4KE8.2A

MXP4KE8.2A

Beschreibung: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO41

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MXP4KE7.5CA

MXP4KE7.5CA

Beschreibung: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC DO41

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MXP4KE7.5A

MXP4KE7.5A

Beschreibung: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC DO41

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
MXP4KE68CAE3

MXP4KE68CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO41

Hersteller: Microsemi Corporation
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