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MXP6KE33CAE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MXP6KE33CAE3
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    28.2V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    45.7V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    31.4V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    T-18
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    600W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    T-18, Axial
  • Andere Namen
    1086-13118
    1086-13118-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    13.2A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose

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Das Folgende sind "MXP6KE33CAE3" -Einziper.
MXP6KE36CAE3

MXP6KE36CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 30.8V 49.9V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXP6KE39A

MXP6KE39A

Beschreibung: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXP6KE39CAE3

MXP6KE39CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 33.3V 53.9V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXP6KE27CAE3

MXP6KE27CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 23.1V 37.5V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXP6KE43A

MXP6KE43A

Beschreibung: TVS DIODE 36.8VWM 59.3VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXP6KE33CA

MXP6KE33CA

Beschreibung: TVS DIODE 28.2V 45.7V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXP6KE27AE3

MXP6KE27AE3

Beschreibung: TVS DIODE 23.1VWM 37.5VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXP6KE36A

MXP6KE36A

Beschreibung: TVS DIODE 30.8VWM 49.9VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXP6KE36CA

MXP6KE36CA

Beschreibung: TVS DIODE 30.8V 49.9V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXP6KE30A

MXP6KE30A

Beschreibung: TVS DIODE 25.6VWM 41.4VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXP6KE39AE3

MXP6KE39AE3

Beschreibung: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXP6KE39CA

MXP6KE39CA

Beschreibung: TVS DIODE 33.3V 53.9V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXP6KE30CA

MXP6KE30CA

Beschreibung: TVS DIODE 25.6V 41.4V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXP6KE43AE3

MXP6KE43AE3

Beschreibung: TVS DIODE 36.8VWM 59.3VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
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MXP6KE27CA

MXP6KE27CA

Beschreibung: TVS DIODE 23.1V 37.5V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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MXP6KE30CAE3

MXP6KE30CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 25.6V 41.4V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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MXP6KE33AE3

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Beschreibung: TVS DIODE 28.2VWM 45.7VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
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MXP6KE30AE3

Beschreibung: TVS DIODE 25.6VWM 41.4VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
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MXP6KE36AE3

MXP6KE36AE3

Beschreibung: TVS DIODE 30.8VWM 49.9VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
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MXP6KE33A

MXP6KE33A

Beschreibung: TVS DIODE 28.2VWM 45.7VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
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