Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > MXP6KE8.2A
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
4158799

MXP6KE8.2A

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
100+
$17.204
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    MXP6KE8.2A
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    1
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    7.79V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    7.02V
  • Spannung - Durchschlag
    T-18
  • Art
    Zener
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • RoHS Status
    Bulk
  • Ripple Current - Low Frequency
    General Purpose
  • Stromleitungsschutz
    600W
  • Power - Peak Pulse
    50A
  • Polarisation
    T-18, Axial
  • Andere Namen
    1086-13163
    1086-13163-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    MXP6KE8.2A
  • Beschreibung
    TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    12.1V
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    No

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "MXP6KE8.2A" -Einziper.
MXP6KE82AE3

MXP6KE82AE3

Beschreibung: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXP6KE82CA

MXP6KE82CA

Beschreibung: TVS DIODE 70.1V 113V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXP6KE68CAE3

MXP6KE68CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 58.1V 92V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXP6KE82CAE3

MXP6KE82CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 70.1V 113V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXP6KE9.1AE3

MXP6KE9.1AE3

Beschreibung: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXP6KE75A

MXP6KE75A

Beschreibung: TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXP6KE8.2CAE3

MXP6KE8.2CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXP6KE8.2AE3

MXP6KE8.2AE3

Beschreibung: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXP6KE9.1A

MXP6KE9.1A

Beschreibung: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXP6KE8.2CA

MXP6KE8.2CA

Beschreibung: TVS DIODE 7.02V 12.1V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXP6KE75AE3

MXP6KE75AE3

Beschreibung: TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXP6KE7.5CA

MXP6KE7.5CA

Beschreibung: TVS DIODE 6.4V 11.3V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXP6KE75CAE3

MXP6KE75CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 64.1V 103V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXP6KE7.5AE3

MXP6KE7.5AE3

Beschreibung: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXP6KE68CA

MXP6KE68CA

Beschreibung: TVS DIODE 58.1V 92V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXP6KE9.1CA

MXP6KE9.1CA

Beschreibung: TVS DIODE 7.78V 13.4V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXP6KE82A

MXP6KE82A

Beschreibung: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXP6KE75CA

MXP6KE75CA

Beschreibung: TVS DIODE 64.1V 103V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXP6KE7.5A

MXP6KE7.5A

Beschreibung: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC T18

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXP6KE7.5CAE3

MXP6KE7.5CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 6.4V 11.3V T-18

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.