Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > MXPLAD18KP110CAE3
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
4369908

MXPLAD18KP110CAE3

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
100+
$64.43
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    MXPLAD18KP110CAE3
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 110V 177V PLAD
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MXPLAD18KP110CAE3.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    110V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    177V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    122V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    PLAD
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    18000W (18kW)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Nonstandard SMD
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    102A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "MXPLAD18KP110CAE3" -Einziper.
MXPLAD18KP110AE3

MXPLAD18KP110AE3

Beschreibung: TVS DIODE 110V 177V PLAD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXPLAD18KP10CAE3

MXPLAD18KP10CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 10V 17V PLAD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXPLAD18KP12AE3

MXPLAD18KP12AE3

Beschreibung: TVS DIODE 12V 19.9V PLAD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXPLAD18KP11CAE3

MXPLAD18KP11CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 11V 18.2V PLAD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXPLAD18KP120CAE3

MXPLAD18KP120CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 120V 193V PLAD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXPLAD18KP11CA

MXPLAD18KP11CA

Beschreibung: TVS DIODE 11V 18.2V PLAD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXPLAD18KP100CAE3

MXPLAD18KP100CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 100V 162V PLAD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXPLAD18KP10AE3

MXPLAD18KP10AE3

Beschreibung: TVS DIODE 10V 17V PLAD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXPLAD18KP11A

MXPLAD18KP11A

Beschreibung: TVS DIODE 11V 18.2V PLAD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXPLAD18KP120CA

MXPLAD18KP120CA

Beschreibung: TVS DIODE 120V 193V PLAD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXPLAD18KP120AE3

MXPLAD18KP120AE3

Beschreibung: TVS DIODE 120V 193V PLAD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXPLAD18KP110A

MXPLAD18KP110A

Beschreibung: TVS DIODE 110V 177V PLAD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXPLAD18KP100AE3

MXPLAD18KP100AE3

Beschreibung: TVS DIODE 100V 162V PLAD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXPLAD18KP120A

MXPLAD18KP120A

Beschreibung: TVS DIODE 120V 193V PLAD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXPLAD18KP11AE3

MXPLAD18KP11AE3

Beschreibung: TVS DIODE 11V 18.2V PLAD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXPLAD18KP10CA

MXPLAD18KP10CA

Beschreibung: TVS DIODE 10V 17V PLAD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXPLAD18KP10A

MXPLAD18KP10A

Beschreibung: TVS DIODE 10V 17V PLAD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXPLAD18KP12A

MXPLAD18KP12A

Beschreibung: TVS DIODE 12V 19.9V PLAD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXPLAD18KP110CA

MXPLAD18KP110CA

Beschreibung: TVS DIODE 110V 177V PLAD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXPLAD18KP100CA

MXPLAD18KP100CA

Beschreibung: TVS DIODE 100V 162V PLAD

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.