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Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > MXSMBG100CAE3
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801309MXSMBG100CAE3-Bild.Microsemi

MXSMBG100CAE3

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$23.672
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MXSMBG100CAE3
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 100V 162V DO215AA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    MXSMBG100CAE3.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    100V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    162V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    111V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    SMBG (DO-215AA)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    600W
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-215AA, SMB Gull Wing
  • Andere Namen
    1086-13802
    1086-13802-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    3.7A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose

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Das Folgende sind "MXSMBG100CAE3" -Einziper.
MXSMBG11AE3

MXSMBG11AE3

Beschreibung: TVS DIODE 11V 18.2V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMBG120AE3

MXSMBG120AE3

Beschreibung: TVS DIODE 120V 193V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMBG11CAE3

MXSMBG11CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 11V 18.2V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSIGDM

MXSIGDM

Beschreibung: BOARD DEMO PICTAIL MIXED SIGNAL

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
vorrätig
RFQ
MXSMBG110CAE3

MXSMBG110CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 110V 177V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMBG100AE3

MXSMBG100AE3

Beschreibung: TVS DIODE 100V 162V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMBG10AE3

MXSMBG10AE3

Beschreibung: TVS DIODE 10V 17V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMBG10CAE3

MXSMBG10CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 10V 17V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMBG11CA

MXSMBG11CA

Beschreibung: TVS DIODE 11V 18.2V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMBG110CA

MXSMBG110CA

Beschreibung: TVS DIODE 110V 177V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMBG100A

MXSMBG100A

Beschreibung: TVS DIODE 100V 162V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSDVK

MXSDVK

Beschreibung: KIT DEVELOPMENT I.MXS

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
MXSMBG11A

MXSMBG11A

Beschreibung: TVS DIODE 11V 18.2V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMBG10A

MXSMBG10A

Beschreibung: TVS DIODE 10V 17V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMBG110AE3

MXSMBG110AE3

Beschreibung: TVS DIODE 110V 177V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMBG120CA

MXSMBG120CA

Beschreibung: TVS DIODE 120V 193V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMBG10CA

MXSMBG10CA

Beschreibung: TVS DIODE 10V 17V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMBG120A

MXSMBG120A

Beschreibung: TVS DIODE 120V 193V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMBG110A

MXSMBG110A

Beschreibung: TVS DIODE 110V 177V DO215AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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MXSMBG100CA

MXSMBG100CA

Beschreibung: TVS DIODE 100V 162V DO215AA

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