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MXSMCGLCE9.0AE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MXSMCGLCE9.0AE3
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 9V 15.4V DO215AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    MXSMCGLCE9.0AE3.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    9V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    15.4V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    10V
  • Unidirektionale Kanäle
    1
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    SMCG (DO-215AB)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-215AB, SMC Gull Wing
  • Andere Namen
    1086-14482
    1086-14482-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    97A
  • Kapazität @ Frequenz
    100pF @ 1MHz
  • Anwendungen
    General Purpose

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Das Folgende sind "MXSMCGLCE9.0AE3" -Einziper.
MXSMCJ100CA

MXSMCJ100CA

Beschreibung: TVS DIODE 100V 162V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMCJ10CAE3

MXSMCJ10CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 10V 17V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMCJ100CAE3

MXSMCJ100CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 100V 162V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMCJ10A

MXSMCJ10A

Beschreibung: TVS DIODE 10VWM 17VC DO214AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXSMCGLCE90A

MXSMCGLCE90A

Beschreibung: TVS DIODE 90V 146V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMCGLCE9.0A

MXSMCGLCE9.0A

Beschreibung: TVS DIODE 9V 15.4V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMCGLCE75A

MXSMCGLCE75A

Beschreibung: TVS DIODE 75V 121V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMCGLCE8.0AE3

MXSMCGLCE8.0AE3

Beschreibung: TVS DIODE 8V 13.6V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMCJ100AE3

MXSMCJ100AE3

Beschreibung: TVS DIODE 100VWM 162VC DO214AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXSMCGLCE8.5A

MXSMCGLCE8.5A

Beschreibung: TVS DIODE 8.5V 14.4V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMCGLCE80AE3

MXSMCGLCE80AE3

Beschreibung: TVS DIODE 80V 129V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMCGLCE90AE3

MXSMCGLCE90AE3

Beschreibung: TVS DIODE 90V 146V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMCGLCE8.5AE3

MXSMCGLCE8.5AE3

Beschreibung: TVS DIODE 8.5V 14.4V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMCJ10CA

MXSMCJ10CA

Beschreibung: TVS DIODE 10V 17V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMCGLCE8.0A

MXSMCGLCE8.0A

Beschreibung: TVS DIODE 8V 13.6V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMCJ10AE3

MXSMCJ10AE3

Beschreibung: TVS DIODE 10VWM 17VC DO214AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
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MXSMCGLCE75AE3

MXSMCGLCE75AE3

Beschreibung: TVS DIODE 75V 121V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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MXSMCGLCE80A

MXSMCGLCE80A

Beschreibung: TVS DIODE 80V 129V DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMCGLCE70AE3

MXSMCGLCE70AE3

Beschreibung: TVS DIODE 70V 113V DO215AB

Hersteller: Microsemi
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MXSMCJ100A

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Beschreibung: TVS DIODE 100VWM 162VC DO214AB

Hersteller: Microsemi Corporation
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