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Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > MXSMCJ58AE3
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4732905MXSMCJ58AE3-Bild.Microsemi Corporation

MXSMCJ58AE3

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MXSMCJ58AE3
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    MXSMCJ58AE3.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    1
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    64.4V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    58V
  • Spannung - Durchschlag
    DO-214AB (SMCJ)
  • Art
    Zener
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • RoHS Status
    Bulk
  • Ripple Current - Low Frequency
    General Purpose
  • Stromleitungsschutz
    1500W (1.5kW)
  • Power - Peak Pulse
    16A
  • Polarisation
    DO-214AB, SMC
  • Andere Namen
    1086-14610
    1086-14610-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    24 Weeks
  • Hersteller-Teilenummer
    MXSMCJ58AE3
  • Beschreibung
    TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AB
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    93.6V
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Bidirektionale Kanäle
    No

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Das Folgende sind "MXSMCJ58AE3" -Einziper.
MXSMCJ51AE3

MXSMCJ51AE3

Beschreibung: TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO214AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXSMCJ51A

MXSMCJ51A

Beschreibung: TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO214AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXSMCJ58A

MXSMCJ58A

Beschreibung: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXSMCJ6.5A

MXSMCJ6.5A

Beschreibung: TVS DIODE 6.5VWM 11.2VC DO214AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXSMCJ54AE3

MXSMCJ54AE3

Beschreibung: TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO214AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXSMCJ51A/TR

MXSMCJ51A/TR

Beschreibung: HI REL TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMCJ58CA

MXSMCJ58CA

Beschreibung: TVS DIODE 58V 93.6V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMCJ51CA

MXSMCJ51CA

Beschreibung: TVS DIODE 51V 82.4V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMCJ58CAE3

MXSMCJ58CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 58V 93.6V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMCJ6.0A

MXSMCJ6.0A

Beschreibung: TVS DIODE 6VWM 10.3VC DO214AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXSMCJ6.0CA

MXSMCJ6.0CA

Beschreibung: TVS DIODE 6V 10.3V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMCJ51CAE3

MXSMCJ51CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 51V 82.4V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMCJ6.0AE3

MXSMCJ6.0AE3

Beschreibung: TVS DIODE 6VWM 10.3VC DO214AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXSMCJ6.0CAE3

MXSMCJ6.0CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 6V 10.3V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMCJ54CAE3

MXSMCJ54CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 54V 87.1V DO214AB

Hersteller: Microsemi
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MXSMCJ54CA

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Beschreibung: TVS DIODE 54V 87.1V DO214AB

Hersteller: Microsemi
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MXSMCJ54A

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Hersteller: Microsemi Corporation
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MXSMCJ6.5CA

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Beschreibung: TVS DIODE 6.5V 11.2V DO214AB

Hersteller: Microsemi
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MXSMCJ6.5AE3

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MXSMCJ58AE3/TR

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