Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > MXSMLJ58A
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
320283MXSMLJ58A-Bild.Microsemi

MXSMLJ58A

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
100+
$18.513
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    MXSMLJ58A
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 58V 93.6V DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    MXSMLJ58A.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    58V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    93.6V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    64.4V
  • Unidirektionale Kanäle
    1
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AB
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    3000W (3kW)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Andere Namen
    1086-15063
    1086-15063-MIL
  • Betriebstemperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    24 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    32A
  • Kapazität @ Frequenz
    -
  • Anwendungen
    General Purpose

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "MXSMLJ58A" -Einziper.
MXSMLJ58CA/TR

MXSMLJ58CA/TR

Beschreibung: HI REL TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMLJ54A

MXSMLJ54A

Beschreibung: TVS DIODE 54V 87.1V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMLJ51CA

MXSMLJ51CA

Beschreibung: TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO214AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXSMLJ6.0CAE3

MXSMLJ6.0CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 6VWM 10.3VC DO214AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXSMLJ51CA/TR

MXSMLJ51CA/TR

Beschreibung: HI REL TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMLJ6.0CA/TR

MXSMLJ6.0CA/TR

Beschreibung: HI REL TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMLJ54A/TR

MXSMLJ54A/TR

Beschreibung: HI REL TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMLJ58CA

MXSMLJ58CA

Beschreibung: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXSMLJ58A/TR

MXSMLJ58A/TR

Beschreibung: HI REL TVS

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMLJ6.0AE3

MXSMLJ6.0AE3

Beschreibung: TVS DIODE 6V 10.3V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMLJ51CAE3

MXSMLJ51CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO214AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXSMLJ54CA

MXSMLJ54CA

Beschreibung: TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO214AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXSMLJ54AE3

MXSMLJ54AE3

Beschreibung: TVS DIODE 54V 87.1V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMLJ51A

MXSMLJ51A

Beschreibung: TVS DIODE 51V 82.4V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMLJ6.0CA

MXSMLJ6.0CA

Beschreibung: TVS DIODE 6VWM 10.3VC DO214AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXSMLJ58CAE3

MXSMLJ58CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXSMLJ58AE3

MXSMLJ58AE3

Beschreibung: TVS DIODE 58V 93.6V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMLJ54CAE3

MXSMLJ54CAE3

Beschreibung: TVS DIODE 54VWM 87.1VC DO214AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
MXSMLJ51AE3

MXSMLJ51AE3

Beschreibung: TVS DIODE 51V 82.4V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MXSMLJ6.0A

MXSMLJ6.0A

Beschreibung: TVS DIODE 6V 10.3V DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.