Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > UFS550J/TR13
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
1579108UFS550J/TR13-Bild.Microsemi Corporation

UFS550J/TR13

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
3000+
$2.647
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    UFS550J/TR13
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 500V 5A DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    UFS550J/TR13.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    5A
  • Spannung - Durchschlag
    DO-214AB
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Tape & Reel (TR)
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    -
  • Polarisation
    DO-214AB, SMC
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    50ns
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    18 Weeks
  • Hersteller-Teilenummer
    UFS550J/TR13
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 500V 5A Surface Mount DO-214AB
  • Diodenkonfiguration
    10µA @ 500V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 500V 5A DO214AB
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.2V @ 5A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    500V
  • Kapazität @ Vr, F
    -55°C ~ 175°C

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "UFS550J/TR13" -Einziper.
UFS580G/TR13

UFS580G/TR13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 5A DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
UFS530GE3/TR13

UFS530GE3/TR13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 5A DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
UFS540GE3/TR13

UFS540GE3/TR13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 5A DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
UFS540G/TR13

UFS540G/TR13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 5A DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
UFS570JE3/TR13

UFS570JE3/TR13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 700V 5A DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
UFS550JE3/TR13

UFS550JE3/TR13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 5A DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
UFS530G/TR13

UFS530G/TR13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 5A DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
UFS540JE3/TR13

UFS540JE3/TR13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
UFS570GE3/TR13

UFS570GE3/TR13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 700V 5A DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
UFS560GE3/TR13

UFS560GE3/TR13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
UFS560G/TR13

UFS560G/TR13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
UFS550G/TR13

UFS550G/TR13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 5A DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
UFS530J/TR13

UFS530J/TR13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 5A DO214AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
UFS560JE3/TR13

UFS560JE3/TR13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
UFS570J/TR13

UFS570J/TR13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 700V 5A DO214AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
UFS550GE3/TR13

UFS550GE3/TR13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 5A DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
UFS540J/TR13

UFS540J/TR13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
UFS560J/TR13

UFS560J/TR13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
UFS530JE3/TR13

UFS530JE3/TR13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 5A DO214AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
UFS570G/TR13

UFS570G/TR13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 700V 5A DO215AB

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.