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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-RF > A2G35S160-01SR3
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A2G35S160-01SR3

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  • Artikelnummer
    A2G35S160-01SR3
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Prüfung
    48V
  • Spannung - Nennwert
    125V
  • Transistor-Typ
    LDMOS
  • Supplier Device-Gehäuse
    NI-400S-2S
  • Serie
    -
  • Leistung
    51dBm
  • Verpackung / Gehäuse
    NI-400S-2S
  • Andere Namen
    935315703118
  • Rauschmaß
    -
  • Gewinnen
    15.7dB
  • Frequenz
    3.4GHz ~ 3.6GHz
  • detaillierte Beschreibung
    RF Mosfet LDMOS 48V 190mA 3.4GHz ~ 3.6GHz 15.7dB 51dBm NI-400S-2S
  • Aktuelle Bewertung
    -
  • Strom - Test
    190mA
MRF8VP13350NR5

MRF8VP13350NR5

Beschreibung: RF POWER LDMOS TRANSISTOR 700-13

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
A2G26H280-04SR3

A2G26H280-04SR3

Beschreibung: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
A2T18S165-12SR3

A2T18S165-12SR3

Beschreibung: AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
MRF8S9202NR3

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Beschreibung: FET RF 70V 920MHZ OM780-2

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
A2G35S200-01SR3

A2G35S200-01SR3

Beschreibung: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
A2G22S160-01SR3

A2G22S160-01SR3

Beschreibung: IC TRANS RF LDMOS

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
VRF2933MP

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Beschreibung: RF MOSFET N-CHANNEL 50V M177

Hersteller: Microsemi
vorrätig
MMRF5014H-500MHZ

MMRF5014H-500MHZ

Beschreibung: MMRF5014H-500M

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
NE3503M04-T2B-A

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Beschreibung: FET RF 4V 12GHZ M04

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
MRFE6S9045NR1

MRFE6S9045NR1

Beschreibung: FET RF 66V 880MHZ TO-270-2

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
ATF-501P8-TR2

ATF-501P8-TR2

Beschreibung: FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC

Hersteller: Avago Technologies (Broadcom Limited)
vorrätig
A2G22S251-01SR3

A2G22S251-01SR3

Beschreibung: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
AFT09H310-04GSR6

AFT09H310-04GSR6

Beschreibung: FET RF 2CH 70V 920MHZ NI1230-4GS

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
MRF6S21100MR1

MRF6S21100MR1

Beschreibung: FET RF 68V 2.16GHZ TO270-4

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
A2G26H281-04SR3

A2G26H281-04SR3

Beschreibung: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
MRF5S21150HSR5

MRF5S21150HSR5

Beschreibung: FET RF 65V 2.17GHZ NI-880S

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
MRFE6VP8600HSR5

MRFE6VP8600HSR5

Beschreibung: FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
BLF6G22L-40BN,112

BLF6G22L-40BN,112

Beschreibung: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1112A

Hersteller: Ampleon
vorrätig
MRF6S9125MR1

MRF6S9125MR1

Beschreibung: FET RF 68V 880MHZ TO-270-4

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
BLF6G10L-40BRN,118

BLF6G10L-40BRN,118

Beschreibung: RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A

Hersteller: Ampleon
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