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A2T18S260-12SR3

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  • Artikelnummer
    A2T18S260-12SR3
  • Hersteller / Marke
    Freescale / NXP Semiconductors
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Datenblätte
    A2T18S260-12SR3.pdf
  • Spannung - Prüfung
    28V
  • Spannung - Nennwert
    65V
  • Transistor-Typ
    LDMOS
  • Supplier Device-Gehäuse
    NI-780S-2L2L
  • Serie
    -
  • Leistung
    257W
  • Verpackung / Gehäuse
    NI-780S-2L2L
  • Andere Namen
    935318801128
  • Rauschmaß
    -
  • Gewinnen
    18.9dB
  • Frequenz
    1.805GHz ~ 1.995GHz
  • detaillierte Beschreibung
    RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 1.805GHz ~ 1.995GHz 18.9dB 257W NI-780S-2L2L
  • Aktuelle Bewertung
    10µA
  • Strom - Test
    1.4A

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A2T18S165-12SR3

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Beschreibung: AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
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A2T18S160W31SR3

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Beschreibung: IC TRANS RF LDMOS

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Beschreibung: AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

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A2T21H360-23NR6

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Beschreibung: RF TRANS 2.1GHZ 360W OM1230-4L2S

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
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A2T18S166W12SR3

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Beschreibung: FET RF 1.8GHZ 166W NI-780S-2L2

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
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A2T20H160W04NR3

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Beschreibung: RF MOSFET LDMOS DUAL 28V OM780-4

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A2T21H360-24SR6

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Beschreibung: IC TRANS RF LDMOS

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
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A2T18S262W12NR3

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A2T18S160W31GSR3

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Beschreibung: IC TRANS RF LDMOS

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Beschreibung: AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

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A2T20H330W24NR6

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Beschreibung: AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

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A2T18S162W31GSR3

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Beschreibung: IC TRANS RF LDMOS

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A2T18H455W23NR6

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Beschreibung: AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

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Beschreibung: IC RF LDMOS TRANS CELL

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Beschreibung: RF MOSFET LDMOS DUAL 28V OM780-4

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