BUK952R8-60E,127

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Spezifikation

Artikelnummer

BUK952R8-60E,127
Hersteller / Marke

Freescale / NXP Semiconductors
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220AB
Serie

TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6 mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (max)

349W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

568-9862-5
934066522127
BUK952R860E127
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

17450pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

120A (Tc)

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Das Folgende sind "BUK952R8-60E,127" -Einziper.

BUK953R5-60E,127

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

Hersteller: Nexperia

vorrätig

BUK952R8-60E,127

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