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4477136MRF6S19100HR5-Bild.NXP Semiconductors / Freescale

MRF6S19100HR5

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MRF6S19100HR5
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    FET RF 68V 1.99GHZ NI-780
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Prüfung
    28V
  • Spannung - Nennwert
    68V
  • Transistor-Typ
    LDMOS
  • Supplier Device-Gehäuse
    NI-780
  • Serie
    -
  • Leistung
    22W
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    NI-780
  • Rauschmaß
    -
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gewinnen
    16.1dB
  • Frequenz
    1.99GHz
  • detaillierte Beschreibung
    RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 1.99GHz 16.1dB 22W NI-780
  • Aktuelle Bewertung
    -
  • Strom - Test
    900mA
  • Basisteilenummer
    MRF6S19100
MRF6S19120HSR3

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Beschreibung: FET RF 68V 1.99GHZ NI-780S

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
MRF6S19060MBR1

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Beschreibung: FET RF 68V 1.93GHZ TO272-4

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
MRF6S19100MBR1

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Beschreibung: FET RF 68V 1.99GHZ TO272-4

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
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MRF6S19100GNR1

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Beschreibung: FET RF 68V 1.99GHZ TO-270-2 GW

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MRF6S19100HSR3

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Beschreibung: FET RF 68V 1.99GHZ NI-780S

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MRF6S19120HR5

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MRF6S19060NBR1

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MRF6S19100MR1

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MRF6S19060NR1

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MRF6S18140HSR3

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Beschreibung: FET RF 68V 1.88GHZ NI880S

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MRF6S18140HR5

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Beschreibung: FET RF 68V 1.88GHZ NI880

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MRF6S19060MR1

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Beschreibung: FET RF 68V 1.93GHZ TO270-4

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MRF6S19120HSR5

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Beschreibung: FET RF 68V 1.99GHZ NI-780S

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MRF6S19120HR3

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Beschreibung: FET RF 68V 1.99GHZ NI-780

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MRF6S19100NR1

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Beschreibung: FET RF 68V 1.99GHZ TO270-4

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MRF6S19100HR3

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MRF6S19060GNR1

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MRF6S19100HSR5

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