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6221451MRF6V2150NR1-Bild.NXP Semiconductors / Freescale

MRF6V2150NR1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MRF6V2150NR1
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    FET RF 110V 220MHZ TO-270-4
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Prüfung
    50V
  • Spannung - Nennwert
    110V
  • Transistor-Typ
    LDMOS
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-270 WB-4
  • Serie
    -
  • Leistung
    150W
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-270AB
  • Andere Namen
    935316842528
    MRF6V2150NR1-ND
    MRF6V2150NR1TR
  • Rauschmaß
    -
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gewinnen
    25dB
  • Frequenz
    220MHz
  • detaillierte Beschreibung
    RF Mosfet LDMOS 50V 450mA 220MHz 25dB 150W TO-270 WB-4
  • Aktuelle Bewertung
    -
  • Strom - Test
    450mA
  • Basisteilenummer
    MRF6V2150
MRF6V14300HSR5

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Beschreibung: FET RF 100V 1.4GHZ NI780S

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
MRF6V3090NR1

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Beschreibung: FET RF 110V 860MHZ TO270-4

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
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MRF6V14300HSR3

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Beschreibung: FET RF 100V 1.4GHZ NI780S

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
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MRF6V3090NBR1

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Beschreibung: FET RF 110V 860MHZ TO272-4

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MRF6V2010GNR1

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Beschreibung: FET RF 110V 220MHZ TO-270G-2

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MRF6V2300NBR1

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Beschreibung: FET RF 110V 220MHZ TO-272-4

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MRF6V2300NBR5

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MRF6V2010NBR1

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MRF6V3090NR5

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Beschreibung: FET RF 110V 860MHZ TO270-4

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MRF6V4300NBR1

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Beschreibung: FET RF 110V 450MHZ TO-272-4

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MRF6V2300NR5

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MRF6V2010NBR5

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MRF6V2010GNR5

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Beschreibung: FET RF 110V 220MHZ TO-270G-2

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MRF6V2150NBR5

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MRF6V14300HR5

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Beschreibung: FET RF 100V 1.4GHZ NI780

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MRF6V2150NBR1

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MRF6V2300NR1

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MRF6V2010NR1

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MRF6V3090NBR5

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