PDTA123JE,115

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Spezifikation

Artikelnummer

PDTA123JE,115
Hersteller / Marke

Freescale / NXP Semiconductors
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PDTA123JE,115.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ

PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

SC-75
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms
Leistung - max

150mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-75, SOT-416
Andere Namen

934051580115
PDTA123JE T/R
PDTA123JE T/R-ND
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

100 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

1µA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

PDTA123

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Das Folgende sind "PDTA123JE,115" -Einziper.

PDTA123JS,126

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

vorrätig

PDTA123JE,115

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