PDTC123EE,115

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Spezifikation

Artikelnummer

PDTC123EE,115
Hersteller / Marke

Freescale / NXP Semiconductors
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PDTC123EE,115.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

SC-75
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

2.2 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms
Leistung - max

150mW
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SC-75, SOT-416
Andere Namen

568-2150-1
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

30 @ 20mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

1µA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

PDTC123

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Das Folgende sind "PDTC123EE,115" -Einziper.

PDTC115TE,115

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

vorrätig

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