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4232228PH9025L,115-Bild.NXP Semiconductors / Freescale

PH9025L,115

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    PH9025L,115
  • Hersteller / Marke
    Freescale / NXP Semiconductors
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 25V 66A LFPAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.15V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    LFPAK56, Power-SO8
  • Serie
    TrenchMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9 mOhm @ 10A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    62.5W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
  • Andere Namen
    934061158115
    PH9025L T/R
    PH9025L T/R-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1414pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12.8nC @ 4.5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    25V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 25V 66A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    66A (Tc)

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PH9085.021NLT

PH9085.021NLT

Beschreibung: IND PWR 3.0X3.0X1.2 1.5UH SMT

Hersteller: Pulse Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
PH9184.021NLT

PH9184.021NLT

Beschreibung: XFMR GATE-DR 1CT:2CT SM NPB

Hersteller: Pulse Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
PH9084.011NLT

PH9084.011NLT

Beschreibung: XFMR GATE-DR 1CT:1CT SM NPB

Hersteller: Pulse Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
PH9085.043NLT

PH9085.043NLT

Beschreibung: IND PWR 3.0X3.0X1.2 1.16MH SMT

Hersteller: Pulse Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
PH9184.011NLT

PH9184.011NLT

Beschreibung: XFMR GATE-DR 1CT:1CT SM NPB

Hersteller: Pulse Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
PH9085.035NLT

PH9085.035NLT

Beschreibung: IND PWR 3.0X3.0X1.2 .33UH SMT

Hersteller: Pulse Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
PH9184.034NLT

PH9184.034NLT

Beschreibung: XFMR GATE-DR 3CT:4CT SM NPB

Hersteller: Pulse Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
PH9085.012NLT

PH9085.012NLT

Beschreibung: IND PWR 3.0X3.0X1.2 10UH SMT

Hersteller: Pulse Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
PH9085.089NLT

PH9085.089NLT

Beschreibung: XFMR GATE-DR 8CT:9CT SM NPB

Hersteller: Pulse Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
PH90

PH90

Beschreibung: SPECIALTY ACIDITY PH

Hersteller: FLIR
vorrätig
RFQ
PH9030L,115

PH9030L,115

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 63A LFPAK

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
PH9085.011NLT

PH9085.011NLT

Beschreibung: IND PWR 3.0X3.0X1.2 1.0UH SMT

Hersteller: Pulse Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
PH9030AL,115

PH9030AL,115

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
PH9085.038NLT

PH9085.038NLT

Beschreibung: IND PWR 3.0X3.0X1.2 3.3UH SMT

Hersteller: Pulse Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
PH9085NLKIT

PH9085NLKIT

Beschreibung: ISOLATION TRANSFORMER KIT

Hersteller: Pulse Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
PH9084.034NLT

PH9084.034NLT

Beschreibung: XFMR GATE-DR 3CT:4CT SM NPB

Hersteller: Pulse Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
PH9085.083NLT

PH9085.083NLT

Beschreibung: IND PWR 3.0X3.0X1.2 4.7UH SMT

Hersteller: Pulse Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
PH9085.034NLT

PH9085.034NLT

Beschreibung: IND PWR 3.0X3.0X1.2 2.2UH SMT

Hersteller: Pulse Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
PH9084.021NLT

PH9084.021NLT

Beschreibung: XFMR GATE-DR 2CT:1CT SM NPB

Hersteller: Pulse Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
PH9084.043NLT

PH9084.043NLT

Beschreibung: XFMR GATE-DR 4CT:3CT SM NPB

Hersteller: Pulse Electronics Corporation
vorrätig
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