PHT2NQ10T,135

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Spezifikation

Artikelnummer

PHT2NQ10T,135
Hersteller / Marke

Freescale / NXP Semiconductors
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT223
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PHT2NQ10T,135.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-223
Serie

TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

430 mOhm @ 1.75A, 10V
Verlustleistung (max)

6.25W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-261-4, TO-261AA
Andere Namen

934056839135
PHT2NQ10T /T3
PHT2NQ10T /T3-ND
Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

160pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.1nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 2.5A (Tc) 6.25W (Tc) Surface Mount SOT-223
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2.5A (Tc)

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Das Folgende sind "PHT2NQ10T,135" -Einziper.

PHT1206Y1000BGTB

Beschreibung: RES SMD 100 OHM 0.1% 1/10W 1206

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

PHT2NQ10T,135

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