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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > BAS316,115
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3126832BAS316,115-Bild.Nexperia

BAS316,115

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75000+
$0.03
150000+
$0.026
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    BAS316,115
  • Hersteller / Marke
    Nexperia
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    BAS316,115.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.25V @ 150mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOD-323
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    4ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-76, SOD-323
  • Andere Namen
    1727-4309-2
    568-5003-2
    568-5003-2-ND
    934054945115
    BAS316 T/R
    BAS316 T/R-ND
    BAS316,115-ND
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150°C (Max)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 250mA (DC) Surface Mount SOD-323
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    500nA @ 80V
  • Strom - Richt (Io)
    250mA (DC)
  • Kapazität @ Vr, F
    1.5pF @ 0V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    BAS316

New ICs From Rohm, Toshiba, and Nexperia Target Automotive ...

2024/10/9
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Das Folgende sind "BAS316,115" -Einziper.
BAS31,215

BAS31,215

Beschreibung: DIODE ARRAY AVALANCHE 90V SOT23

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS3007ARPPE6327HTSA1

BAS3007ARPPE6327HTSA1

Beschreibung: DIODE BRIDGE 30V 900MA SOT143

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BAS3010B03WE6327HTSA1

BAS3010B03WE6327HTSA1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323-2

Hersteller: Infineon Technologies
vorrätig
RFQ
BAS31-D87Z

BAS31-D87Z

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 120V 200MA SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS321,115

BAS321,115

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS316WS RRG

BAS316WS RRG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 250MA SOD323F

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BAS31

BAS31

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 120V 200MA SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS316Z

BAS316Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 250MA SC76-2

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS321/8F

BAS321/8F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS3020BH6327XTSA1

BAS3020BH6327XTSA1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 2A SOT363-6

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BAS3005S02LRHE6327XTSA1

BAS3005S02LRHE6327XTSA1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA TSLP-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BAS316/ZLF

BAS316/ZLF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD323

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
BAS31,235

BAS31,235

Beschreibung: DIODE ARRAY AVALANCHE 90V SOT23

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS3010A03WE6327HTSA1

BAS3010A03WE6327HTSA1

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BAS316 RRG

BAS316 RRG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 250MA SOD323

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BAS316-TP

BAS316-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
BAS316,H3F

BAS316,H3F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 250MA USC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
BAS316,135

BAS316,135

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS321,135

BAS321,135

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS316/ZLX

BAS316/ZLX

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD323

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
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