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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Arrays > BAV170VL
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4747177BAV170VL-Bild.Nexperia

BAV170VL

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BAV170VL
  • Hersteller / Marke
    Nexperia
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE ARRAY GP 85V 125MA SOT23
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    BAV170VL.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.25V @ 150mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    85V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-236AB (SOT23)
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    3µs
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    934032160235
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150°C (Max)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • Diodenkonfiguration
    1 Pair Common Cathode
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 85V 125mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5nA @ 75V
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    125mA (DC)
  • Basisteilenummer
    BAV170

New ICs From Rohm, Toshiba, and Nexperia Target Automotive ...

2024/10/9
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Das Folgende sind "BAV170VL" -Einziper.
BAV199,215

BAV199,215

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 75V 160MA SOT23

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAV19-TR

BAV19-TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 250MA DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAV170MYL

BAV170MYL

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 75V 320MA 3DFN

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAV170HMFHT116

BAV170HMFHT116

Beschreibung: SWITCHING DIODE (LOW LEAKAGE)

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAV19 A0G

BAV19 A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BAV18-TR

BAV18-TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 250MA DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAV170/ZLVL

BAV170/ZLVL

Beschreibung: DIODE ARRAY GEN PURP 75V SOT23

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
BAV19-TR

BAV19-TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 250MA DO35

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
BAV199

BAV199

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 85V 140MA SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAV170T-7-F

BAV170T-7-F

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 85V 125MA SOT523

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAV199,235

BAV199,235

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 75V 160MA SOT23

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAV170E6359HTMA1

BAV170E6359HTMA1

Beschreibung: DIODE GP 80V 100MA SOT23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BAV18-TAP

BAV18-TAP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 250MA DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAV170E6433HTMA1

BAV170E6433HTMA1

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BAV170Q-7-F

BAV170Q-7-F

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 85V 125MA SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAV170QAZ

BAV170QAZ

Beschreibung: DIODE HS SW 75V 180MA 3DFN1010

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAV170T-7

BAV170T-7

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 85V 125MA SOT523

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAV19-TAP

BAV19-TAP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 250MA DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAV19

BAV19

Beschreibung: DIODE GEN PURP 120V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAV170E6327HTSA1

BAV170E6327HTSA1

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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