PDTA113ET,215

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Spezifikation

Artikelnummer

PDTA113ET,215
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PDTA113ET,215.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 1.5mA, 30mA
Transistor-Typ

PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

TO-236AB (SOT23)
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

1 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

1 kOhms
Leistung - max

250mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

934058259215
PDTA113ET T/R
PDTA113ET T/R-ND
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

30 @ 40mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

1µA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

PDTA113

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2024/10/9

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PDTA113ZMB,315

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN

Hersteller: Nexperia

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