PDTA123YMB,315

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Spezifikation

Artikelnummer

PDTA123YMB,315
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PDTA123YMB,315.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ

PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

DFN1006B-3
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms
Leistung - max

250mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

3-XFDFN
Andere Namen

934065926315
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

180MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 180MHz 250mW Surface Mount DFN1006B-3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

35 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

1µA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

PDTA123

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2024/10/9

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Das Folgende sind "PDTA123YMB,315" -Einziper.

PDTA124EK,115

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

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