PDTC123YM,315

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Spezifikation

Artikelnummer

PDTC123YM,315
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PDTC123YM,315.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

DFN1006-3
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms
Leistung - max

250mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-101, SOT-883
Andere Namen

934058828315
PDTC123YM T/R
PDTC123YM T/R-ND
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount DFN1006-3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

35 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

1µA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

PDTC123

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2024/10/9

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Das Folgende sind "PDTC123YM,315" -Einziper.

PDTC124ES,126

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

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