PDTD113ET,215

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Spezifikation

Artikelnummer

PDTD113ET,215
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PDTD113ET,215.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

TO-236AB (SOT23)
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

1 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

1 kOhms
Leistung - max

250mW
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

1727-2150-1
568-11969-1
568-11969-1-ND
568-12311-1
568-12311-1-ND
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

33 @ 50mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

500mA

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2024/10/9

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Das Folgende sind "PDTD113ET,215" -Einziper.

PDTD113EUF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.425W

Hersteller: Nexperia

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