PHB110NQ08T,118

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Spezifikation

Artikelnummer

PHB110NQ08T,118
Hersteller / Marke

Nexperia
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

PHB110NQ08T,118.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D2PAK
Serie

TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9 mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (max)

230W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

1727-5266-2
568-6591-2
568-6591-2-ND
934058279118
PHB110NQ08T /T3
PHB110NQ08T /T3-ND
PHB110NQ08T,118-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4860pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

113.1nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

75V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 75V 75A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

75A (Tc)

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2024/10/9

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Das Folgende sind "PHB110NQ08T,118" -Einziper.

PHB153NQ08LT,118

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

vorrätig

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